KIOXIA'ya Ömür Boyu Başarı Ödülü

KIOXIA, 3D NAND Flash Buluşu ile FMS Ömür Boyu Başarı Ödülü’ne Layık Bulundu

16:14:15 | 2024-07-26

 

 

 

Şirketin Geliştirme Ekibi Çığır Açan BiCS FLASH 3D Flash Bellek Teknolojisini Geliştirdikleri İçin Ödül Alıyor.

KIOXIA, NAND flash belleğin mucidi olarak 2024 yılı için FMS: the Future of Memory and Storage (Bellek ve Depolamanın Geleceği) Ömür Boyu Başarı Ödülünün sahibi oldu. Hideaki Aochi, Ryota Katsumata, Masaru Kito, Masaru Kido ve Hiroyasu Tanaka’dan oluşan KIOXIA mühendislik ekibi 3D flash bellek geliştirme ve piyasaya sürme konularında öncülük eden çalışmaları sebebiyle bu prestijli ödülü kabul edecek. Bu çığır açan teknoloji gelişmiş akıllı telefonlar, kişisel bilgisayarlar, SSD’ler, veri merkezleri, Yapay Zekâ ve endüstriyel alan da dâhil olmak üzere çeşitli bilgi işleme uygulamaları için vazgeçilmez olmuştur.                            

KIOXIA, BiCS FLASHTM 3D flash bellek teknolojisi konseptini 2007 VLSI Sempozyumu’nda tanıtmıştı.  Prototipin duyurulmasından sonra KIOXIA bu teknolojiyi seri üretim için optimize etmek üzere geliştirmelere devam etti ve sonunda 2015 yılında dünyanın ilk 256 gigabit (Gb), 48 katmanlı 3D flash belleğini sundu.

“KIOXIA’nın 3D flash bellek inovasyonları sadece var olan teknolojilerin ilerletildiği veri depolamada devrim niteliğinde dönüşüm yaratarak modern bilgi işlemenin ihtiyaçlarını karşılayan bir çözüm ortaya koymuştur” diyen FMS Genel Başkanı Chuck Sobey şunları da ekledi: “Bu önemli katkıyı gözler önüne sermekten mutluluk duyuyoruz ve geleceğin neler getireceğini heyecanla bekliyoruz.”

Kapasite ve performans artıran 3D istiflenmiş yapısıyla BiCS FLASHTM 3D flash bellek, depolama endüstrisinde dönüşüm yaratan bir güç olmuştur. Daha yüksek yoğunluklu depolama çözümlerine imkân veren bu teknoloji; bir yandan güvenilirliğini ve verimliliğini korurken bir yandan da veri merkezleri, tüketici elektronik ürünleri ve mobil cihazların kapasitelerini büyük oranda genişletmesini sağlayarak flash bellek teknolojisinin standartlarını yeniden belirledi. KIOXIA’nın BiCS FLASHTM teknolojisinin dikey istiflemeden yaralanarak düzlemsel NAND flash kısıtlılıklarına cevap vermesi bellek depolama çözümlerinde gelecek gelişmelerin önünü açıyor ve bu da KIOXIA Corporation endüstri liderliğini perçinliyor.

KIOXIA Corporation Bellek Birimi Başkan Yardımcısı Atsushi Inoue “KIOXIA’nın 3D flash bellekteki teknolojik yenilikleri ne kadar övülse yeridir. Teknolojimiz flash bellek için her bir hücre, kalıp ve pakette depolama yoğunluğunu artırarak endüstride yeni bir örnek oluşturmuştur. Başarılarımızın takdir edilmesinden ötürü mutluyum ve bunların gelecek yıllarda nasıl etkiler yaratacağını görmeyi heyecanla bekliyorum.” şeklinde konuştu.

“KIOXIA’daki mühendis arkadaşlarım sadece teknolojik başarıları için değil aynı zamanda sektörde daimi yenilikçilik aracılığıyla ilerleme sağlama ve etraflarındaki teknoloji alanında çalışanlara destekleriyle ilham oldular.” diyen KIOXIA Corporation İleri Bellek Geliştirme Merkezi kıdemli üyesi Ryota Katsumata şöyle devam ediyor: “Katkılarımız sadece yankı yapmakla kalmadı aynı zamanda topluluğumuzda inovasyon ve işbirliği ruhunu da besledi. Bu liderlik ve vizyonun geniş kabul gördüğüne tanık olmak harika.”

Bu 3D flash bellek teknolojisi aynı zamanda Japonya’da Ulusal Buluş Ödüllerinden 2020 İmparatorluk Buluş Ödülü almış ve Japonya Eğitim, Kültür, Spor, Bilim ve Teknoloji Bakanlığı tarafından verilen Bilim ve Teknoloji Ödüllerinden 2023 Bilim ve Teknoloji Ödülü ile 2021 IEEE Andrew S. Grove Ödülüne layık bulunmuştur.

Hazırlayan:

Birgit Schöniger

 

 

 

World Media Group (WMG) Haber Servisi




ETİKET :   kioxia-odul

Tümü